《集成電路專題講座》--2022年度南京繼續教育知識更新工程專題（高級研修班）

點擊數：66222022-06-01 20:41:37　來源: 南京職稱評定|江蘇省安全生產許可證辦理|建筑企業資質辦理-ag视讯下载app

出售南京公共課及知識更新工程專題（高級研修班）全部答案⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，百分百南京繼續教育公共課系統題庫✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥！

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單選題

1✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、按服務器形態分類㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，（）的優點是體積小ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，統一工業標準生產ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，使用場景是大型企事業單位ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。

A⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、塔式服務器

B㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、刀片式服務器

CⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、機架式服務器

D⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、機柜式服務器

2ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、（）雷達價格最高☈⊙☉℃℉❅。

A❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、超聲波

Bⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、激光

C☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、納米波

D✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、毫米波

3⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、國內半絕緣型碳化硅襯底已占據約（）的市場份額ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。

A①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、 10%

B☾☽❄☃、 30%

C♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 50%

D⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 70%

4✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、（）在 MEMS 產品市場份額中位列第二♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃。

A✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、射頻器件

B웃유ღ♋♂、壓力傳感器

C❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、聲學傳感器

Dⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、慣性傳感器

5✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、車規芯片要滿足（）的溫度要求①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。

A♀☿☼☀☁☂☄、 -40℃ 至 +40℃

Bⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、 0℃ 至 +40℃

CⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、 -40℃ 至 +150℃

Dⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、 -40℃ 至 +300℃

6⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、 2020 年㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦， GaN 微波射頻產值達（）⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。

A♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 25.5 億元

B✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、 60.8 億元

C✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 44.7 億元

D㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 19.6 億元

7☈⊙☉℃℉❅、英飛凌預計未來高端純電動汽車上高低壓 MOSFET 總數量有望達到（）個♀☿☼☀☁☂☄。

A❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 120

B♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 200

Cⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、 400

D♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 600

8 ☾☽❄☃、隨著制程的演進ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，芯片設計的費用與計算性能分別呈現怎樣的變化趨勢ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ？（）

A⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、增長減緩

B☈⊙☉℃℉❅、增長停滯

C♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、減緩增長

D☾☽❄☃、減緩停滯

9 ㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、L2級別的自動駕駛車輛對單車傳感器的成本大概在（）美元ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ。

A❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 120

BⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、 140

CⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、 160

D✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、 180

10 ♀☿☼☀☁☂☄、一般半導體行業周期是在銷量增長的波動下推動的⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，其中萎縮階段一般為（）☾☽❄☃。

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、 2—4 個季度

BⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、 4—6 個季度

CⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、 6—8 個季度

D✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 8—10 個季度

11 ㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、EDA的發展歷程分為幾個階段✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅？（）

A✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、兩個階段

B⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、三個階段

C☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、四個階段

D㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、五個階段

12 ⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、（）是我國第三代半導體產業發展的關鍵窗口期ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，能否建立長期戰略優勢至關重要ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ。

A❣❦❧♡۵、 “ 十一五 ”

B⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 “ 十二五 ”

C✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 “ 十三五 ”

D①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、 “ 十四五 ”

13 ⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、截至2020年底㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，全國鐵路運營里程 14.6 萬公里ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，其中高速鐵路（）公里㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。

A⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 3.8 萬公里

B✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 5.8 萬公里

Cⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、 8.8 萬公里

D❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、 10.8 萬公里

1 4 ✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、目前針對SOC設計的最大顧慮是☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；？（）

Aⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、開發成本快速增加

B⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、開發周期漫長

CⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、單裸片 SOC 所有原件需被放置在同一個制程度工藝節點上

D⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、單裸片 SOC 混合信號的集成和驗重

15 ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、科技研究系統的基礎是哪一類芯片☾☽❄☃？（）

Aⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、軟件定義芯片

B✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 CMOS 技術芯片

C☈⊙☉℃℉❅、 AI 技術芯片

D⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 X86

16 ♀☿☼☀☁☂☄、全球晶圓代工廠40nm及以上成熟制程中ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，三星的市占率是（）ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。

AⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、 31%

B✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 28%

C⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 13%

D☈⊙☉℃℉❅、 10%

17 ⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、下列選項中⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，不屬于電子產品包含的互聯范圍的一項是❣❦❧♡۵？（）

A✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、芯片端的互聯

BⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、封裝層面的互聯

CⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、電路板間的互聯

D⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、散熱系統的互聯

1 8 ❣❦❧♡۵、2020年☈⊙☉℃℉❅， SiC ♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 GaN 電力電子產值達（）♀☿☼☀☁☂☄。

A☾☽❄☃、 2.2 億元

B⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、 6.5 億元

C✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 44.7 億元

D㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、 19.6 億元

19 ☾☽❄☃、GaN功率器件在充電器產品的潛在市場的規模約為（）億美元☈⊙☉℃℉❅。

A☾☽❄☃、 60

Bⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、 80

C♀☿☼☀☁☂☄、 100

D✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、 120

20 ①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、2021年㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，中國集成電路設計業銷售額超過了（）♀☿☼☀☁☂☄，同比增長 20% 以上✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。

A⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 3000 億元

BⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、 3500 億元

C⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 4000 億元

D⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 4500 億元

21 ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、按服務器形態分類☾☽❄☃，（）的優點是高密度ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、模塊化✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、節省電能ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，使用場景是大型數據中心웃유ღ♋♂。

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、塔式服務器

B웃유ღ♋♂、刀片式服務器

C☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、機架式服務器

D①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、機柜式服務器

2 2 ☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、（）產業是感知世界的基礎⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，也是萬物互聯的根本✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

A✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、云計算

B⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、大數據

C✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、區塊鏈

D♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、傳感器

2 3ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、砷化鎵的器件的缺點是功率較低✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅，低于（）☈⊙☉℃℉❅。

A⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、 50W

B⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、 100W

CⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、 150W

D⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、 200W

24 ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、2019年♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，韓國半導體產業規模占全球規模的（）⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。

A㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、 19%

B⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 12%

C⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 14%

D❣❦❧♡۵、 16%

25 ❣❦❧♡۵、碳化硅晶體生長是碳化硅襯底制備的關鍵技術✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，目前行業采用主流的方法為（）♀☿☼☀☁☂☄。

A☾☽❄☃、水蒸氣相傳輸法

Bⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、物理氣相傳輸法

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、電流傳輸

D⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、直流傳輸

26 ⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、（）的建設是整個東數西算工程實施中最重要的環節✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

A✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、數據中心

B❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、 5G

Cⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、特高壓

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、高鐵及城際的高速列車

2 7⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、（）是全球 MEMS 行業最大的一個應用領域①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。

A☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、工業

B❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、醫療

C㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、汽車電子

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、消費電子

28 ㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、（）可以提升服務器電源的功率密度和效率⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，整體上縮小數據中心的體積❣❦❧♡۵，實現數據中心整體建設成本的降低☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，同時實現更高的環保效率⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。

A⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、硫化硅器件

BⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、砷化硅器件

C㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、氮化硅器件

D㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、碳化硅器件

29 ❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、下列選項中㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂，關于NOR Flalsh ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，說法錯誤的是（）☾☽❄☃。

A☾☽❄☃、是非易失性的

B✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、具有很高的讀取速度

C⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、寫入速度很快

D⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、相同容量下①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯， NOR Flash 的價格要遠遠高于 NAND Flash

30 ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、全球晶圓代工廠40nm及以上成熟制程中❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，臺積電的市占率是（）✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。

A㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、 31%

B웃유ღ♋♂、 28%

CⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、 13%

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 10%

3 1⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、 IP 設計的收入端主要由哪兩部分組成♀☿☼☀☁☂☄？（）

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、設計費與版稅

B⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、授權金與批發

C❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、授權金與版稅

Dⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、授權金與銷售

3 2ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、 2020 年☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；， MEMS 行業規模超過了（）億美金❣❦❧♡۵。

A♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 120

B☈⊙☉℃℉❅、 140

CⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、 160

D✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 180

3 3✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 2021 年❣❦❧♡۵，中國集成電路產業銷售額為 10458.33 億元⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，同比增長（）☈⊙☉℃℉❅。

A❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、 12.8%

B⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 18.2%

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 22.8%

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 28.2%

3 4❣❦❧♡۵、 PCM 的結構具有相變材料和稱為加熱器的窄電極☾☽❄☃，在兩個電極之間ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，（）是常用的相變材料⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤。

A㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、硫屬化物

B⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、石蠟

C♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、醋酸

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、水

35 ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、區別于數據中心服務器☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，邊緣服務器配置追求的是（）☾☽❄☃。

A♀☿☼☀☁☂☄、最大存儲

BⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、最高計算性能

C㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、最大擴展卡數量

D♀☿☼☀☁☂☄、在有限空間里盡量提供配置靈活性

36 ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、MCU芯片是（）❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣。

A☈⊙☉℃℉❅、驅動類芯片

B⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、控制類芯片

C⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、計算類芯片

Dⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、電源類芯片

3 7 ✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、（）是全球集成電路產業強國ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，產業發展源于20世紀 60 年代末期美國半導體產業的技術轉移⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。

A✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、荷蘭

BⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、中國

CⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、日本

D㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、美國

38 ☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、AI芯片領域面臨的主要技術挑戰是⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺？（）

A☈⊙☉℃℉❅、馮 · 諾依曼瓶頸

B웃유ღ♋♂、 CMOS 技術芯片

C❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、邏輯器件

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、運算精度

39 ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、用在計算過程中的（）是影響數據中心處理能力ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、處理快慢的最核心部分ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ。

A⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、編程

B⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、程序

C⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、數據

D㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、芯片

40 ♀☿☼☀☁☂☄、現階段已商業化的SiC產品主要集中在（）電壓等級①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯， 3300V 以上電壓等級器件尚處于工程樣品階段⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。

AⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、 650V-4700V

B⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 650V-3700V

C㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、 650V-2700V

D⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 650V-1700V

41 ☈⊙☉℃℉❅、全球晶圓代工廠40nm及以上成熟制程中♀☿☼☀☁☂☄，聯華電子的市占率是（）❣❦❧♡۵。

A❣❦❧♡۵、 31%

B㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 28%

Cⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、 13%

D☾☽❄☃、 10%

4 2 ♀☿☼☀☁☂☄、SRAM的響應通常可以做到（）級別ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、飛秒

B☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、納秒

C♀☿☼☀☁☂☄、微秒

D㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、毫秒

43 ㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、碳化硅的耐高壓能力是硅的10倍☈⊙☉℃℉❅、耐高溫能力是硅的 2 倍⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、高頻能力是硅的 2 倍㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。

A✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、 10

B⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 7

C⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 5

D⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 3

44 ♀☿☼☀☁☂☄、關于RAM和 ROM ☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，說法錯誤的是（）㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、 ROM 是只讀存儲器

B웃유ღ♋♂、 RAM 是隨機存取存儲器

C⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 RAM 和 ROM 都沒有讀和寫的次數的限制

D㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、 ROM 的讀和寫的次數是有限的

45 ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、（）是數字經濟最有價值的資源ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，作為數字經濟全新的✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、關鍵的生產要素❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，貫穿于數字經濟發展的全部流程⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，將引發生產要素多領域ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、多維度❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、系統性的突破❣❦❧♡۵。

A⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、算力

B♀☿☼☀☁☂☄、數據

C①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、算法

D⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、資金

4 6 ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、下列選項中㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂，哪一個芯片架構具有成本低⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、耗能低的特點⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺？（）

A❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 X86

BⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、 ARM

C㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 MIPS

D①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、 RISC-V

47 ⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、從物理結構上看ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，GPU和 CPU 的差別在于（）ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ。

A⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、 GPU 沒有控制單元

B⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 GPU 沒有寄存器

C❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 GPU 沒有邏輯運算單元

D⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 GPU 包括了控制單元❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、寄存器✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、邏輯運算單元等ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，相比于 CPU ☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，擁有更多邏輯運算單元

48 웃유ღ♋♂、中央處理器是指❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰？（）

AⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、風扇

B⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、主板

C⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、 CPU

Dⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、硬盤

49 ①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、芯片設計的核心環節是ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ？（）

A⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、前端設計

Bⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、中端設計

C✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、芯片的規格定義

Dⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、后端設計

50 웃유ღ♋♂、2019年到 2025 年⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，全球氮化鎵射頻器件市場保持（）的增速⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，預計 2025 年達 20 億美元♀☿☼☀☁☂☄。

A☈⊙☉℃℉❅、 42%

B⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 32%

C⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 22%

D☈⊙☉℃℉❅、 12%

51 ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、工藝節點泛指在集成電路加工過程中的（）ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，尺寸越小❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，表示工藝水平越高☈⊙☉℃℉❅。

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、工藝流程

B☈⊙☉℃℉❅、特征尺寸

C✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、設備模型

D❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、工藝特征

52 ⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、（）是信息技術的引擎❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，推動信息技術的發展ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。

A❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、編程

B❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、程序

C✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、數據

D♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、芯片

5 3 ❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、后摩爾時代的集成電路設計領域中❣❦❧♡۵，人們追求的目標是①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯？（）

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、功耗

B⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、尺寸

C✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、效率

D✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、良率

54 ㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、（）是位于主電路和控制電路之間ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，用來對控制電路的信號進行放大的中間電路ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ。

Aⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、驅動類芯片

B⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、控制類芯片

C♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、計算類芯片

DⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、電源類芯片

55 ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、連接芯片設計工作和IT基礎架構的重要環節是ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ？（）

A❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 3D IC 技術支持

B❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 CAD 服務

C☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、 EDA 技術支持

D⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 IT 技術支持

56 ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、（）為MEMS的聲學傳感器的主要應用領域웃유ღ♋♂。

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、工業

B☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、醫療

C✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、汽車電子

D❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、消費電子

57 ☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、國內已實現4-6英寸商業化產品供給✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，可以滿足（）及以下功率器件制備需求✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。

A㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 3.3kV

B☈⊙☉℃℉❅、 3.4kV

C♀☿☼☀☁☂☄、 3.5kV

D⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 3.6kV

5 8 ㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、醫療設備領域MEMS產品年均復合增長率超過了（）❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣。

Aⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、 5%

B♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 6%

C♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 7%

D☈⊙☉℃℉❅、 8%

59 ⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、2019年☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；， CMOS 圖像傳感器市場規模超過了（）億美金✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。

A㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、 140

B⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 160

C①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、 180

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 200

60 ✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、高通屬于集成電路芯片產業商業模式中的（）⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯。

A☈⊙☉℃℉❅、 IDM

B⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 Fabless

C✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、 Foundry

DⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、 IBM

6 1✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、芯片的良率與尺寸呈現怎樣的關系✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴？（）

A⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、隨著芯片尺寸的減小①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯，芯片良率呈現指數級下降

B♀☿☼☀☁☂☄、隨著芯片尺寸的增加ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，芯片良率呈現指數級下降

C☾☽❄☃、隨著芯片尺寸的增加✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，芯片良率不會發生較大變化

D⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、隨著芯片尺寸的增加ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，芯片良率呈現緩慢下降趨勢

6 2 ✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、我國是整個的半導體和集成電路領域全球最大的單一市場⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，占全球需求的（）ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，是全球第三代半導體龍頭企業最主要的銷售市場ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ。

A✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、 20%—30%

BⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、 30%—40%

C✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 40%—50%

D✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 50%—60%

63 ☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、GaN功率器件有望在（）領域代替硅基功率器件ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。

AⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、低壓

B✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、中壓

C♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、高壓

D①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、超高壓

64 ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、（）類襯底通常與GaN外延結合形成異質晶圓웃유ღ♋♂，并主要用于生產微波射頻器件ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ。

A❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、木質類

B♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、絕緣型

C㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、半絕緣型

D⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、導電型

65 ⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、X86芯片架構誕生于哪一年❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣？（）

A㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 1983

B웃유ღ♋♂、 1971

Cⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、 1987

D✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 1978

66 ☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、根據摩爾定律ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，集成電路芯片上所集成的電路數目每隔（）翻一番ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ。

A♀☿☼☀☁☂☄、 6 個月

B♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 12 個月

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 18 個月

DⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、 24 個月

67 ㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、（）是全球最大的單一半導體市場✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。

A☾☽❄☃、荷蘭

B⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、中國

C✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、日本

Dⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、美國

68 ㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、NAND Flash也是有從 2D 有向 3D 轉換的大趨勢✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴，在多層擴展的方式上㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂，（）是一種主流的策略⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。

A웃유ღ♋♂、串堆疊

B♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、單層

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、縮微晶體管

D⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、擴展晶體管

69 ☈⊙☉℃℉❅、2019年全球智能手機以及功能機所消耗掉的 CMOS 圖像傳感器占到總的 CMOS 圖像傳感器市場份額的（）左右☾☽❄☃。

A✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 60%

B㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、 70%

C⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、 80%

DⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、 90%

70 ♀☿☼☀☁☂☄、（）是便攜式血壓傳感器的關鍵的器件❣❦❧♡۵。

A㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、 MEMS 壓力傳感器

B☈⊙☉℃℉❅、 MEMS 聲學傳感器

C❣❦❧♡۵、 MEMS 慣性傳感器

D⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 MEMS 射頻器件

71 ☾☽❄☃、EDA硬件的兩個主要交付工具是①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯？（）

A☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、仿真和驗證

B♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、驗證和快速原型

C㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、設計和快速原型

D⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、仿真和快速原型設計

多選題

1㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、與傳統芯片相比⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，軟件定義芯片的目標是在單顆芯片上兼顧哪些性能♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃？（）

A✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、高性能

B❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、高精度

Cⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、高能效

Dⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、高靈活

E⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、高安全

2⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、下列選項中㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂，屬于易失性存儲器的有（）ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ。

A❣❦❧♡۵、 EPROM

B☈⊙☉℃℉❅、 SRAM

CⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、 Flash

D❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 DRAM

E❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、 FRAM

3❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、（）屬于 MEMS 傳感器ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ。

A㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、打印機噴墨的噴頭

BⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、聲學傳感器

C㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、壓力傳感器

D⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、慣性傳感器

E⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、射頻器件

4☾☽❄☃、芯片設計有哪些步驟ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ？（）

A✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、芯片規格的定義

B웃유ღ♋♂、系統級的設計

C⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、前端設計

D❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、中端設計

E⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、后端設計

5㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、下列選項中ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，屬于非易失性存儲器的有（）⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。

A①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、 EPROM

B❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 SRAM

C✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 Flash

D㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、 DRAM

E⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 FRAM

6☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、以下說法正確的是（）⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤。

A♀☿☼☀☁☂☄、 0.18 微米以上制程㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，中國大陸占據全球 20.5% 產能ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，領先全球其他國家和地區

B✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 40nm-0.18 微米制程⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，中國大陸占據全球產能 15.6% ❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，僅次于中國臺灣地區

C❣❦❧♡۵、 20nm-40nm 制程ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，中國大陸占據全球產能 15.4% ⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，落后于中國臺灣地區㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、韓國和美國

D❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、 10-20nm 制程☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，中國大陸占據全球產能 14.8% ⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，落后于韓國和日本

E⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、總產能方面㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂，中國大陸占據全球 15.3% 產能☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，落后于中國臺灣地區ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、韓國ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、日本⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。

7 ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、（）的硬件是智能傳感未來的方向㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。

A⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、體積更小

B⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、重量更輕

C☾☽❄☃、功耗更低

D⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、性價比更高

E❣❦❧♡۵、價格更低

8 ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、集成電路芯片產業特點主要有（）☾☽❄☃。

AⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、投資規模巨大

B⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、投資風險高

CⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、回報周期長

D✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、投資風險低

Eⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、規模效應明顯

9 ❣❦❧♡۵、（）等新興應用的發展♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，為集成電路提供了重要的驅動力⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤。

A⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 5G 通信

B⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、物聯網

C⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、人工智能

D⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、自動駕駛

E✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、類腦計算

10 ☈⊙☉℃℉❅、MEMS的慣性傳感器主要是用在（）領域✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

A⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、汽車電子

B✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、工業

C☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、醫療

DⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、消費電子

E⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、安防

1 1 ☈⊙☉℃℉❅、以下對日本半導體發展狀況的闡述正確的是（）❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣。

A㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、 1963 年ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，ag视讯下载app股份有限公司（ NEC ）獲得了仙童半導體公司的技術授權

B⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 1976-1979 年☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，日本開始實施 VLSI 聯盟⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，使得日本技術與美國差距縮小☈⊙☉℃℉❅。

C☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、 20 世紀 80 年代ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，日本半導體制造商采取基于 DRAM 的 IDM 商業模式⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，在全球半導體市場獲得了領先地位

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 1989-1992 年♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，日本超越美國❣❦❧♡۵，成為全球最大的半導體生產國

E♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 1989 年ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，日本的市場占有率一度達到全球的 53%

1 2✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、新基建的領域主要包括（）☈⊙☉℃℉❅。

A❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、 5G 基站建設

Bⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、大數據中心

Cⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、特高壓

D☾☽❄☃、人工智能

E❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、城際高速鐵路和城際軌道交通

1 3ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、 FPGA 芯片的主要特點包括（）㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。

A⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、串行計算

B♀☿☼☀☁☂☄、并行計算

C☈⊙☉℃℉❅、適用便捷

D❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、設計靈活

E⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、高兼容性

1 4ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、下列選項中⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，關于 ASIC 與 FPGA 綜合對比⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，說法正確的有（）✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、 ASIC 的研發周期更長

Bⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、 FPGA 的研發周期更長

C☈⊙☉℃℉❅、 ASIC 的固定成本更高

D⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、 FPGA 的固定成本更高

E㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、 FPGA 在靈活性方面具備一定優勢

1 5✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、與傳統的 EEPROM 相比❣❦❧♡۵，阻變存儲器 ReRAM 具備（）兩大特性ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ。

A웃유ღ♋♂、小型化

Bⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、大型化

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、高容量

D⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、低能耗

E⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、高速度

1 6웃유ღ♋♂、后摩爾時代♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，芯片設計的需求有哪些✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴？（）

A♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、大規模彈性計算

B✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、更快面向市場

C㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、小規模彈性計算

D⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、更低的設計成本

E✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、面對更廣泛的市場

1 7 ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、以下（）是氮化鎵器件的物理特性☾☽❄☃。

A㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、寬禁帶

B❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、存在二維電子氣

C⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、低導通損耗

D㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、本征電子濃度低

E☈⊙☉℃℉❅、高擊穿電壓

18 ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、CPU的主要功能主要為（）✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

A☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、處理指令

B♀☿☼☀☁☂☄、執行操作

C✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、控制時間

Dⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、處理數據

E①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、存儲數據

19 ⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、EDA設計過程中需要經歷哪些步驟☈⊙☉℃℉❅？（）

A☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、設定條件

B⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、反推

C❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、設定方針

D①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、設計

E❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、驗證

20 ㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、2020年❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，我國主要的充電基礎設施是以（）為主⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。

A☈⊙☉℃℉❅、公用充電樁

B❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、專用充電樁

C✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、私人用充電樁

Dⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、交流充電樁

E✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、直流充電樁

21 ✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、圖像傳感器的發展趨勢有（）①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。

A⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、前照式結構的普及

B웃유ღ♋♂、電路及芯片結構設計優化

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 BSI 背照式結構普及

D⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、封裝工藝創新

E✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、多元融合

22 ✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、集成電路在（）等方面☈⊙☉℃℉❅，遠遠優于傳統的分離型晶體管元件♀☿☼☀☁☂☄。

A⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、體積

B❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、重量

C☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、功耗

D⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、壽命

E⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、可靠性

23 ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、根據MIT在《 Science 》發布的文章ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，后摩爾定律時代♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，算力提升將更大程度上來源于計算堆棧的【頂層】웃유ღ♋♂，即（）✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

Aⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、 3D 堆疊

B❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、超導電路

C♀☿☼☀☁☂☄、軟件

D㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、算法

E⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、硬件架構

24 ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、在集成電路設計理念之一的正向設計中❣❦❧♡۵，有哪些類型㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉？（）

A㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、系統設計

BⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、自頂向上

C⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、自底向下

D⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、自頂向下

EⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、自底向上

25 ♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、碳化硅下游主要應用場景有（）⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯。

A㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 5G 基站

B☈⊙☉℃℉❅、數據中心

C❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、新能源汽車充電樁

D❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、高鐵和城際交通

E⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、特高壓

2 6 ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、智能傳感發展的方向是（）①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。

A㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、系統化

B♀☿☼☀☁☂☄、節能化

CⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、自動化

D⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、智能化

E✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、微型化

27 ☈⊙☉℃℉❅、CMOS圖像傳感器根據感光元件的裝配位置分為（）✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。

A❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、后照式

B☾☽❄☃、前照式

C♀☿☼☀☁☂☄、左照式

D♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、右照式

E❣❦❧♡۵、背照式

28 ⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、選擇第三代半導體的原因有（）웃유ღ♋♂。

A♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、是開啟 5G 웃유ღ♋♂、人工智能웃유ღ♋♂、萬物互聯ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，支撐智能社會發展的核心

B⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、是支撐節能減排⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，實現綠色可持續發展的重要載體

C㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、是實現綠色照明♀☿☼☀☁☂☄、推動醫療與健康ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、不斷開發新的顯示技術的重要途徑

Dⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、是提升航空航天和國防能力的重要保障

E☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、企業以 IDM 模式為主❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，設計和制造開始出現分工

29 ⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、芯片設計的技術支持角色有哪些㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉？（）

A♀☿☼☀☁☂☄、 IP 資源庫與技術支持

B⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 EDA 工具庫與技術支持

C♀☿☼☀☁☂☄、 Foundry 工藝庫與技術支持

D㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 IT 基礎架構與技術支持

Eⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、 PS 技術支持

30 ⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、圖像傳感器主要分為（）✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

A⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、 CMOS

BⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、 COD

C❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 CMD

D❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 CRM

E⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 CCD

3 1 ♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、在熱點領域웃유ღ♋♂，企業營收實現了快速增長⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，其中熱點領域主要有（）⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤。

A㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、人工智能

B⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、消費電子

C♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、晶圓代工

D⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、存儲器

Eⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、汽車半導體

32 ⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、三大核心零部件（）成本占服務器總成本比例約為服務器總硬件成本的80%♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃。

A❣❦❧♡۵、 I/O 接口

B☈⊙☉℃℉❅、硬盤

C⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、內存

DⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、電源

E♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、處理器

33 ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、以下（）是5G通信具備的特點☾☽❄☃。

A⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、小容量

B⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、大容量

C❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、低延時

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、高可靠性

Eⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、高功耗

34 ㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、服務器是一種高性能計算機⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，其中包含向網絡用戶提供特定服務的軟件和硬件ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，它比普通計算機（）❣❦❧♡۵。

A⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、運行更快

B♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、負載更高

C웃유ღ♋♂、負載更低

D⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、價格更貴

E㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、價格更便宜

35 ❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、3D IC設計的挑戰有哪些㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦？（）

A①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、降低功耗

BⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、系統級的異質設計整合⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、規劃和優化

C⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、協同設計和協同分析

D☈⊙☉℃℉❅、設計前進行熱分析

E❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、將技術無縫整合在一起的通用平臺

3 6 ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、以下（）屬于東數西算工程㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。

Aⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、數據中心

B㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 5G

C✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、特高壓

Dⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、高鐵及城際的高速列車

E⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、新能源及新能源汽車

37 ⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、CMOS圖像傳感器的優點有（）❣❦❧♡۵。

A❣❦❧♡۵、高集成度

B♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、標準化程度較高

C⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、功耗較低

D✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、成本較低

E웃유ღ♋♂、小型化

38 ♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、全球集成電路芯片轉移路徑主要有（）❣❦❧♡۵。

A❣❦❧♡۵、從美國本土到日本

B☈⊙☉℃℉❅、從美國和日本向韓國ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、中國臺灣地區轉移

C①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、從美國本土到中國大陸

DⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、從臺灣地區轉到大陸

E㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、從日本到中國

39 ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、碳化硅的產業鏈主要包括（）✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

AⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、襯底

BⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、外延

CⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、器件

D♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、應用

E⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、收購

4 0 ♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、正是由于氮化鎵優秀的材料特質♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，（）等5G移動通信中使用到的核心基礎技術最后都將使用氮化鎵材料制作功率放大器產品①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。

A✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、毫米波

B✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、載波聚合

CⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、 Massive-MIMO

D☈⊙☉℃℉❅、波束合成

E㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、載波分解

41 ✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、AI學習需要具備哪三大條件ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ？（）

A✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、數據集

B⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、算法模型

C♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、目標函數

D✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、時間

EⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、算法腳本

42 ✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、后摩爾時代①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯，芯片設計的演進方向有哪些⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾？（）

AⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、 EDA 技術的深度發展

BⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、新型互聯 3D IC

CⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、 3D IC 的深度發展

D⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、異質集成

E㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 AI 驅動設計

43 ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、MEMS行業未來發展趨勢有（）ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。

A⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 SIP 是 “ 后摩爾時代 ” 的重要增長動力

B✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 MEMS 器件智能化①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、微型化⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、低功耗化趨勢逐步深化

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 MEMS 器件使用的隱私性和安全性備受關注

D☾☽❄☃、萬物互聯⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、人機交互時代⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓， MEMS 器件應用場景更加多元化

E①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、多傳感器融合與協同

44 ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、雖然EDA解決方案不直接涉及芯片制造⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，但它在哪三個方面發揮著關鍵作用①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯？（）

A⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、設計和驗證半導體制造流程

BⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、驗證設計是否滿足產品制造流程的所有要求⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，即是否具有良好的可制造性

C❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、確保器件在使用壽命期間持續按預期運行

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、驗證半導體設計是否新穎

E❣❦❧♡۵、驗證半導體設計是否能有更長的壽命

45 ⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、碳化硅基的功率器件的特點主要有（）ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ。

Aⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、可以顯著的降低散熱器的成本和體積

B⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、可以減小功率模塊的體積

C웃유ღ♋♂、提高整個系統的效率

D⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、增加功率模塊的體積

E❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、增加散熱器的成本和體積

4 6☾☽❄☃、 “ 大戰略下 ” 我國集成電路行業發展趨勢主要表現為（）ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ。

A웃유ღ♋♂、集成電路產業將由高速增長階段轉向高質量發展階段

B⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、產業數字化是增強行業競爭力的關鍵因素

CⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、新材料❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、新架構助推諸多顛覆性技術推動產業革新

D⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、人才問題將是制約我國集成電路產業發展的關鍵因素

E☈⊙☉℃℉❅、整機廠商加速自研芯片進程

47 ❣❦❧♡۵、手機攝像頭的發展方向有（）ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ。

A☾☽❄☃、攝像頭體積變小

BⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、攝像頭種類增加

C✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、感光面積加大

D♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、攝像頭像素增加

E⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、攝像頭數量增多

4 8 ♀☿☼☀☁☂☄、對于國內集成電路制造行業產生影響的因素主要有（）❣❦❧♡۵。

A⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、全球的政治經濟變化

B⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、制造領域ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、制造環節的關鍵材料和設備可能會遭受極限施壓

C㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、關鍵材料質量的提升

D⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、集成電路制造企業存在的爛尾事件㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，導致大量投資和資源的浪費

E①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、關鍵環節技術的進步

49 ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、后摩爾時代✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，芯片設計面臨哪些問題✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥？（）

A❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、芯片制造人才越來越稀缺

B♀☿☼☀☁☂☄、芯片的設計成本越來越高

CⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、芯片的效能面臨挑戰

D✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、下游應用需求對芯片設計要求激增

E⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、芯片的制造技術越來越先進

50 ⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、3D IC的設計優勢有哪些⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺？（）

A☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、實現成本降低

B✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、更容易滿足高互連速度和帶寬要求

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、支持更小的尺寸

D❣❦❧♡۵、可以降低功耗

Eⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、加強跨封裝之間的互連

51 웃유ღ♋♂、評價一顆芯片有哪些指標㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦？（）

A⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、待機時長

B✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、功耗

C㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、性能

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、面積

EⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、熱消耗

52 ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、與燃油車相比⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，整個的電動車的動力系統的零部件逐漸轉為（）等✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。

A①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、發動機

B㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、電池

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、逆變器

D☾☽❄☃、變速箱

E⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 OBC

53 ✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、功率器件又被稱為電力電子器件✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，是構成電力電子變換裝置的核心的器件웃유ღ♋♂。以下（）屬于功率器件✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。

A⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、功率二極管

B♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、功率三極管

C⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、晶閘管

D㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、 MOSFE

E⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 IGBT

B㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、變頻

C⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、變壓

D♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、變流

E⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、功耗控制

5 5 ✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、第三代半導體的半導體材料主要有（）✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。

A☾☽❄☃、 Si

B⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、 Ge

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 GaN

D⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 SiC

E㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 InP

56 ❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、半導體材料在（）等性能方面具有優勢☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；。

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、禁帶寬度

B☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、電子遷移率

C☾☽❄☃、相對介電常數

D㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、熱導率

E❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、擊穿場強

5 7 ❣❦❧♡۵、根據器件不同的開關類型♀☿☼☀☁☂☄，可以將GaN器件分為（）✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

A☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、常開型

B⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、常關型

C✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、級聯型

D⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、串聯型

58 ☾☽❄☃、特色工藝的特征主要表現為（）ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。

A⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、不追求先進的工藝制程

B❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、工藝期很長

C♀☿☼☀☁☂☄、特色工藝的產品種類少

D⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、產品應用與工藝結合非常緊密

E㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、特色工藝的產品種類非常繁多

59 ⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、目前還沒有一種理想的基于硅材料的半導體工藝⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，可以用于大批量生產웃유ღ♋♂，使其同時具備（）這幾個方向的性能①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。

A㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、 DRAM 的高容量㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、低成本

B㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、 SRAM 的高容量ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、低成本

C☾☽❄☃、 SRAM 的高速度

D✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、閃存的數據的非揮發特性

E✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、 DRAM 的數據的非揮發特性

A✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、架構

Bⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、微電子

C⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、光電子

D⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、軟件

E⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 MEMS

61 ☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，包括（）✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。

Aⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、非易失性

C♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、高讀寫耐久性

E❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、低功耗

6 2 ㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、目前攝像頭的封裝工藝采用的是（）㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。

Aⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、 SEM

B웃유ღ♋♂、 CFR

C❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、 COB

D❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 COM

63 ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、目前市場上主流的芯片架構有哪些⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤？（）

A❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 X88

B⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、 X86

C✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 ARM

D✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 MIPS

E✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、 RISC-V

64 ❣❦❧♡۵、集成電路芯片產業的商業模式主要有（）㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。

Aⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、 IDM

B✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、 Fabless

C⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、 Foundry

D⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 IBM

E⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 Feblass

65 ✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、AI學習需要具備哪三大條件⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯？（）

A☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、數據集

B☾☽❄☃、算法模型

C㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、目標函數

D☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、時間

E웃유ღ♋♂、算法腳本

66 ✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、后摩爾時代♀☿☼☀☁☂☄，新的【底層】優化路徑被提出⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，例如（）等⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，技術目前仍處于起步階段☈⊙☉℃℉❅，但后續有望突破現有想象空間♀☿☼☀☁☂☄。

A⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 3D 堆疊

B✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、超導電路

CⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、軟件

D⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、算法

E❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、硬件架構

A㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 MCU

B☾☽❄☃、 TVS 管

C⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、電源芯片

D⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 IGBT

E✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、隔離芯片

6 8 ⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、在很多的車用領域使用大量的碳化硅來作為器件的襯底ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，是因為碳化硅有三大優勢（）웃유ღ♋♂。

A웃유ღ♋♂、高阻值

B✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、低阻值

C⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、高速運作

D☈⊙☉℃℉❅、高溫運作

E❣❦❧♡۵、低溫運作

69 ❣❦❧♡۵、以下對韓國半導體發展狀況的闡述正確的是（）✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。

A♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、 1973 年⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，韓國成立國家科學技術委員會

C㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、 1976 年❣❦❧♡۵，韓國建立了電子技術研究所

D웃유ღ♋♂、 1978 年韓國建立了第一家本土半導體企業韓國半導體公司

E⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、 20 世紀 70 年代末①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯，韓國具備生產超大規模集成電路技術

B❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、資源優化

C✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、上市更快

D✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、性能增強

E⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、成本節省

71 ㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、以氮化鎵為材料的功率半導體器件可廣泛應用于（）❣❦❧♡۵。

A❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、工業

B♀☿☼☀☁☂☄、通信

Cⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、計算機

D⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、航空航天

E☈⊙☉℃℉❅、國防軍事

判斷題

1㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、預計到 2025 年웃유ღ♋♂，全球充電樁碳化硅器件市場規模將達到 25 億美元①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。

錯誤

2♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、納米波基站將有望開始大規模部署⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，成為拉動市場的主要力量ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，帶動國內 GaN 微波射頻器件市場規模成倍數增長ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。

錯誤

3✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、新型存儲器是對傳統存儲器的替代❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，兩者只會短暫共存㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。

錯誤

5⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、存儲器是指利用電能方式存儲信息的半導體介質設備㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，其存儲與讀取過程體現為電子的存儲或釋放⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。

正確

6⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、背照式 CMOS 圖像傳感器比前照式的制作成本更低⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ。

錯誤

7웃유ღ♋♂、 MEMS 的特征尺寸一般是納米級的❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣。

正確

8 ❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、韓國集成電路起源于20世紀 60 年代日本半導體企業的封裝技術產能轉移⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ。

錯誤

9 ㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、5G基站建設是影響 GaC 微波射頻器件市場規模變化的主要因素㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。

錯誤

正確

11 웃유ღ♋♂、目前主流的手機至少用到五顆左右的MEMS聲學傳感器❣❦❧♡۵。

錯誤

12 ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、將后摩爾時代的芯片設計需求與云計算特性融合ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，可在較小的時間窗口之內產生更多次迭代✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、進行更多次模擬和回歸測試⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，即通過更短時間把更優秀的產品推入到市場當中去ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。

正確

13 ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、GaN在功率器件領域的目標：提高效率并實現小型化☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；。

正確

1 4 ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、MEMS傳感器不可以進行大批量的生產⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。

錯誤

15 ☈⊙☉℃℉❅、在傳統的計算機虛擬化架構中♀☿☼☀☁☂☄，業務層為宿主機♀☿☼☀☁☂☄，管理層為虛擬機✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅，業務和管理共存于CPU運行⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ。

錯誤

16 ⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、容量☈⊙☉℃℉❅、成本等已經不是制約新型存儲器廣泛使用的因素⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。

錯誤

17 ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、EDA技術可以在很大程度上降低 IP 設計的成本⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。

錯誤

18 ☈⊙☉℃℉❅、國內現有產品商業化供給無法滿足市場需求ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，尤其是SiC電力電子和 GaN 射頻存在較大缺口⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。

正確

19 ⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、預計到2024年⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、 2025 年⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，全球手機的出貨量會保持在 18—19 億部左右的態勢ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。

錯誤

20 ❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、集成電路行業呈現出明顯的周期性ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，無法承受這種周期性波動的企業不愿意進入集成電路行業웃유ღ♋♂。

正確

21 ⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、SiC MOSFET實現 650V （ 120-17mΩ ）⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、 1200V （ 80-25mΩ ）❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、 1700V （ 80-45mΩ ）產品小批量生產⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，尚處于應用推廣階段⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。

正確

22 ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、電力電子器件市場規模增長的主要驅動因素是新能源汽車市場的快速滲透和PD快充市場的爆發①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。

正確

23 ⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、一般半導體行業周期是在銷量增長的波動下推動的♀☿☼☀☁☂☄，行業周期介于6—10個季度♀☿☼☀☁☂☄。

錯誤

24 ♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、FPGA設計完成后⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，無法改動硬件資源♀☿☼☀☁☂☄，靈活性受限❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣。

錯誤

25 ✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、3D IC有望在網絡㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉、圖形☈⊙☉℃℉❅、 AI/ML 和高性能計算等領域產生廣泛影響ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，特別是對于需要超高性能♀☿☼☀☁☂☄、高功耗器件的應用而言⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。

錯誤

26 ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、算力是數字經濟發展的重要驅動力♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃。

正確

27 ⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺、近年來㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，智能可穿戴設備處于一個高度爆發的階段㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。

正確

28 ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、宏觀來看✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，可以根據復雜程度將幾種典型的指令集分為兩種：一種是復雜指令集♀☿☼☀☁☂☄，另一種是精簡指令集⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。

正確

29 ✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、2019年 -2020 年❣❦❧♡۵， SiC 下游產業鏈應用進入衰退期㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。

錯誤

正確

31 ✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、芯片是超大規模的集成電路♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，是由成百上千個晶體管❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、電容和電阻組成的電子電路✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。

正確

32 ✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、全球最大的兩家半導體企業英特爾和三星是Fabless公司❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰。

錯誤

33 ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、FPGA的芯片✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，在數據中心領域主要是用作硬件加速☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，它位于網絡交換層與傳統的服務器軟件之間✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

正確

34 ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、臺積電屬于Foundry中的佼佼者①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯，在晶圓代工市場中擁有超過 50% 的占有率♀☿☼☀☁☂☄。

正確

錯誤

36 ❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、氮化鎵射頻器件需要在效率♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、線性度和增益間取得平衡⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯。

正確

37 ㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、未來5年將是第三代半導體產業發展的關鍵期✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅，全球資本加速進入第三代半導體材料☈⊙☉℃℉❅、器件領域ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，產能大幅度提升㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，企業并購頻發ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，正處于產業爆發前的 “ 搶跑 ” 階段㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。

正確

3 8 ☾☽❄☃、全球主要經濟體政策利好汽車電動化✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。

正確

錯誤

4 1ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、與國際相比㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，國內大尺寸晶圓制造技術尚未完全成熟❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，成本高昂☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、良率較低☈⊙☉℃℉❅。

正確

42 ㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、GPU可以單獨工作⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤。

錯誤

正確

45 ⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、目前商用的主要的服務器還是遵循傳統的馮 · 諾依曼架構ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。

正確

46 ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、Intel公司聯合創始人戈登 · 摩爾♀☿☼☀☁☂☄， 1965 年提出摩爾定律♀☿☼☀☁☂☄。

正確

47 ❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、未來自動駕駛領域將是多種雷達進行融合⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，共同為汽車提供智能駕駛的功能✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。

正確

4 9 ✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴、通過傳統設計方法學設計出的可用于深度學習的AI芯片❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，同樣可以應用于芯片設計行業ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。

正確

50 ⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、NOR Flash不屬于閃存ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ。

錯誤

52 ♀☿☼☀☁☂☄、鐵路是現代交通體系重要的組成方式☾☽❄☃，也是重大的民生工程⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，長期以來在國民經濟中占據著不可撼動的地位㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。

正確

53 ✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、異構集成是指將單獨制造的組件集成到更高級別組裝⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，總體上提供更強的功耗和改進的操作特征⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。

錯誤

正確

5 6 ✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、醫療領域是MEMS壓力傳感器應用的傳統領域⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。

錯誤

57 ☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、SiC SBD實現 650V-1700V 全系列批量供貨能力⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，導通電流最高 500A 웃유ღ♋♂。

錯誤

5 8 ❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、目前最先進的SOC設計還遠遠未達到制造工藝和材料物理屬性的極限限制☈⊙☉℃℉❅。

錯誤

59 ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、在整個國內集成電路需求增長的背景下①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯，中國集成電路封測業的規模呈現持續下降的趨勢⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ。

錯誤

60 ❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰、可穿戴設備中暫時未配備傳感器ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。

錯誤

61 ⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、當前我國數字經濟蓬勃發展ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，已成為經濟增長和社會發展的關鍵力量⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤。

正確

62 ⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、2020年☈⊙☉℃℉❅，全球 CMOS 圖像傳感器的出貨量超過了 77 億顆❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰。

正確

63 ㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、MEMS傳感器不可以進行大批量的生產♀☿☼☀☁☂☄。

錯誤

64 ♀☿☼☀☁☂☄、超高壓（＞10kV） SiC 功率器件所需的 N 型 SiC 外延片以及雙極型 SiC 功率器件所需的 P 型 SiC 外延片等方面還處于研究階段⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。

正確

6 5 ⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、集成電路的設計理念分為兩種☈⊙☉℃℉❅，分別是自底向上和自頂向下⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤。

錯誤

66 ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、雖然設計流程的挑戰正在得到解決⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，但要吸引主流用戶開始大規模在3D-IC制程上量產☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，仍有許多工作要做㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。在系統級探索⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯， 3D 布局㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、規劃ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、實現☾☽❄☃，數據提取⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、分析✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、測試和 IC 封裝協同設計等領域需要具備新的能力㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。

正確

67 ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、EDA又稱作電子自動化設計工具♀☿☼☀☁☂☄，是集合軟件☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、硬件和服務在內的領域ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，所有產品與服務的共同目標是協助半導體器件或芯片♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，進行定義規劃웃유ღ♋♂、設計實施❣❦❧♡۵、驗證和制造等⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ。

正確

68 ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、集成電路設計是對電子器件間的互聯進行創建⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。

正確

69 ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、3D-IC是半導體行業的一個主要新趨勢⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。它在許多應用領域展現了令人信服的功耗ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、性能和形狀參數優勢♀☿☼☀☁☂☄，并有助于遏制 SoC 開發成本的攀升ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ。

正確

70 ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、2020年 7 月國務院學位委員會會議投票通過了提案⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，成立了集中電路專業的一級學科①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。

正確

7 1ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ、架構是實現微型化⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、系統化☈⊙☉℃℉❅、智能化的首要前提和關鍵環節♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃。

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